OD380*23 میلی متر اهداف غیر سمی غیر تهاجمی تیتانیوم

تیتانیوم هدف Gr2 ASTM B381-06 a OD380*23 Sputtering Target Sputtering Material Target Sputtering

هدف پوشش یک منبع پاشش است که فیلم های کاربردی مختلفی را بر روی بستر بوسیله پاشش مگنترون ، آبکاری یونی چند قوس یا سایر انواع سیستم های پوشش در شرایط تکنولوژیکی مناسب تشکیل می دهد.به زبان ساده ، ماده مورد نظر بمباران ذرات باردار با سرعت بالا است.هنگامی که در سلاح های لیزری با انرژی بالا استفاده می شود ، چگالی قدرت متفاوت ، شکل موج خروجی متفاوت و طول موج های مختلف لیزر با اهداف مختلف تعامل می کند ، اثرات مختلف کشتار و تخریب ایجاد می شود.به عنوان مثال ، پوشش پاششی مگنترون تبخیری پوشش تبخیری گرم شده ، فیلم آلومینیومی و غیره است. مواد مختلف را تغییر دهید (مانند آلومینیوم ، مس ، فولاد ضد زنگ ، تیتانیوم ، هدف نیکل و غیره) ، می تواند سیستم فیلم های مختلف (مانند فوق العاده سخت) را دریافت کند. ، فیلم آلیاژی مقاوم در برابر سایش ، مقاوم در برابر خوردگی و غیره).

در مقایسه با فناوری پوشش مرطوب ، فناوری پوشش خلا دارای مزایای زیر است:
(1) لایه های نازک و بسترها دارای انتخاب وسیعی از مواد هستند و ضخامت فیلم را می توان برای تهیه فیلم های کاربردی با عملکردهای مختلف کنترل کرد.
(2) برای تهیه فیلمهای نازک در خلاء ، محیط تمیز و فیلمهای نازک به راحتی آلوده نمی شوند.بنابراین می توان فیلم هایی با چگالی خوب ، خلوص بالا و پوشش یکنواخت بدست آورد.
(3) استحکام اتصال بین فیلم و بستر خوب است و فیلم محکم است.
(4) پوشش خشک باعث آلودگی مایع یا آلودگی محیط زیست نمی شود.
فناوری پوشش خلا عمدتا شامل تبخیر خلاء ، پاشش خلاء ، آبکاری یون خلاء ، رسوب پرتوی خلا ، رسوب بخار شیمیایی و غیره می باشد.علاوه بر رسوب بخار شیمیایی ، روشهای دیگر ویژگیهای مشترک زیر را دارند:
(1) انواع فن آوری های پوشش نیاز به یک محیط خلاء خاص برای اطمینان از حرکت مولکولهای بخار تشکیل شده در فرآیند تبخیر یا پاشش حرارتی دارد ، نه اینکه توسط تعداد زیادی مولکولهای گاز در جو مورد اصابت قرار گرفته ، مسدود و تداخل پیدا کند ، و اثرات مضر ناخالصی های موجود در جو را از بین ببرد.
(2) همه فن آوری های پوشش نیاز به منبع یا هدف برای تبدیل مواد فیلم تبخیر به گاز دارند.با توجه به بهبود مستمر منبع یا هدف ، محدوده انتخاب مواد ساخت فیلم بسیار افزایش یافته است.فلز ، آلیاژهای فلزی ، ترکیبات بین فلزی ، سرامیک یا مواد آلی را می توان با فیلمهای فلزی مختلف و فیلمهای دی الکتریک تبخیر کرد و همچنین با تبخیر همزمان مواد مختلف به دست آمد.
(3) مواد تولید کننده فیلم تبخیری یا پاشیده را می توان به طور دقیق اندازه گیری و در فرآیند تشکیل فیلم های نازک با قطعه کار روکش دار اندازه گیری و کنترل کرد تا از یکنواختی ضخامت فیلم اطمینان حاصل شود.
(4) هر فیلم می تواند ترکیب و کسر جرمی گاز باقی مانده در محفظه پوشش را با استفاده از یک دریچه تنظیم خوب کنترل کند ، در نتیجه از اکسیداسیون مواد تبخیری جلوگیری کرده ، کسر جرمی اکسیژن را به حداقل برساند و گاز بی اثر را پر کند. ، که برای پوشش مرطوب غیرممکن است.
(5) به دلیل بهبود مستمر تجهیزات پوشش ، فرآیند پوشش را می توان به طور مداوم تحقق بخشید ، در نتیجه خروجی محصول را تا حد زیادی بهبود می بخشد و هیچ آلودگی به محیط در طول فرآیند تولید ندارد.
(6) چون فیلم در خلا ساخته می شود ، خلوص فیلم زیاد است ، تراکم خوب است و سطح بدون پردازش روشن است.این امر باعث می شود که خواص مکانیکی و شیمیایی فیلم بهتر از فیلم الکترودیوز شده و فیلم شیمیایی باشد.

1. چگالی کم و قدرت مشخصات بالا
2. مقاومت در برابر خوردگی عالی
3. مقاومت خوب در برابر اثر حرارت
4. برتری فوق العاده ای در خصوص ویژگی Cryogenics
5. غیر مغناطیسی و غیر سمی
6. خواص گرمایی خوب
7. مدول الاستیسیته پایین